• 简介

  • 真空加热台可工作在超高真空环境下,主要应用在PVD,CVD,MOCVD及等离子体沉积系统上。

  • 特性

  • 加热区域的温度为1000℃

  • 标准尺寸: Ø1”至 Ø8’’

  • 带水冷装置 

  • 加热材料可选: CCC, SiC Coated Graphite 或者 PBN/PG/PBN

  • 加热速度快,1分钟内可升至1000℃

  • 可用于高真空,超高真空或O2环境下温度控制(O2环境下推荐使用SiC材料)

  • 采用K型热电偶传感器


1000℃真空加热台(SiC, CCC or PBN)

本网站由阿里云提供云计算及安全服务